介质损耗角正切(或称介质损耗因数)通常用tanδ表示。测量tanδ值可以反映出绝缘介质损耗的大小。良好绝缘的 tanδ不随电压的升高而明显增加。若绝缘内部有缺陷,特别是存在气隙,则 tanδ将随电压的升高呈现明显转折,如图所示。
tanδ与电压的关系曲线
温度对 tanδ的影响程度随材料、结构的不同而异。一般情况下,tanδ随温度上升而增加。为便于比较,应将不同温度下的tanδ值换算至20℃。应当指出,由于被试品的温度换算系数不是十分符合实际,换算后往往误差较大。因此,尽量在同
一温度或10~30℃温度范围内测量。
良好绝缘的 tanδ不随电压的升高而明显增加。若绝缘内部有缺陷,则tan8将随电压的升高而明显增加,tan6与电压的关系典型曲线如图所示。
tanδ与电压的关系典型曲线
1-绝缘良好的情况 2-绝缘老化的情况 3-绝缘中存在气隙的情况 4-绝缘受潮的情况
对电容量较小的设备(套管、互感器、耦合电容器等),测量 tanδ能有效地发现局部集中性和整体分布性缺陷。但对电容量较大的设备(变压器、电力电缆等),测量 tanδ只能发现整体分布性缺陷,如存在局部集中性缺陷,由于其引起的损耗仅占总损耗的很小一部分而被掩盖。换言之,tanδ发现缺陷的灵敏程度是由缺陷部分的体积占总体积的百分比决定的。
(1)与规程规定注意值(或警示值)比较。
(2)与历史数据比较,有时即使数据没有超标,但有明显增长趋势,也应引起注意。此时,可增加试验项目,以便对试品进行综合分析。
(3)与同类设备比较,数据不应有明显差异。
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